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工商時報【涂志豪】

由於全球記憶體廠自2015年以降,並無投入高額鉅資擴建新晶圓廠的動作,因此,雖然近年來在個人電腦、智慧型手機等終端應用銷售動能趨緩,不過,因內建的DRAM或NAND Flash搭載容量持續提升,也讓2016年下半年記憶體市場出現缺貨壓力,而2017年看來記憶體仍將缺很大,金雞年對記憶體廠來說將是個好年冬。

DRAM價格由2016年中開始起漲,至2016年底價格已創一年來新高,2017年價格續漲趨勢明確,對DRAM廠南亞科、華邦電來說,營收及獲利將具成長動能。至於包括創見、威剛、宇瞻、品安等模組廠來說,獲利成長動能強勁。

根據集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange統計,受惠於全球智慧型手機出貨成長,及DRAM搭載量不斷攀升,2016年第二季開始DRAM原廠逐步降低標準型DRAM的產出,轉為行動式與伺服器DRAM。在供應逐漸吃緊下,第三季開始標準型DRAM價格呈上漲走勢,同時帶動其他類別記憶體的價格上揚。

2016年第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Galaxy Note 7二大旗艦機備貨潮,雖然Note 7後來於第四季停產,但第三季的備貨仍有助DRAM消化量與價格的上揚,標準型DRAM也因出貨比預期更佳,加上筆電搭載高容量8GB記憶體比重亦持續增加,更讓第四季標準型DRAM合約價季漲幅逾30%,包括三星、SK海力士等韓系業者獲利明顯回升,第三大廠美光則轉虧為盈,台灣業者同樣受惠。

南亞科受惠於標準型DRAM價格持續上漲,加上客戶陸續追加訂單,2016年第三季營收較第二季成長16.7%,但隨著新工廠Fab 3A North完工,2017年上半年將導入20奈米製程,屆時成本有望進一步降低。

平均銷售單價可望大漲

華邦電2016年第三季營收小幅成長7%,除46奈米比重持續提升外,38奈米製程預估最快於第四季正式少量投片生產,此外,由於利基型記憶體第四季起漲價,亦將反映在第四季的營收表現上,2017年則因38奈米製程微縮加快,獲利將見強勁成長動能。

集邦最新研究顯示,展望2017年第一季,受惠於中國農曆新年的備貨需求,及買方普遍認同供貨吃緊仍將持續,標準型4GB DRAM模組均價將往20美元邁進,預估季漲幅約15%,其餘如伺服器、行動式、利基型DRAM等產品價格預性感內褲估也將同步攀升,呈現淡季不淡的格局。在供給端沒有進一步增加產能的情況下,供貨吃緊的態勢仍將延續,2017年DRAM的平均銷售單價較今年將有可觀的成長。

在NAND Flash市場部分,DRAMeXchange最新調查顯示,受惠於智慧型手機需求強勁,及供給端2D NAND轉進3D NAND所導致的整體產出減少,2016年第三季NAND Flash開始漲價,使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%,營業利益率也較上季大幅進步。

2016年第四季各項終端設備出貨進入今年最高峰,預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著,各項NAND Flash產品的合約價漲幅將更高,廠商的營收與營業利益率也可望再創今年新高。

法人指出,包括華邦電、旺宏等低容量NAND Flash才剛量產,對市場影響不大,但漲價效應下仍有機會受惠。至於國內主要NAND控制IC廠群聯受惠漲價,2016年營收及獲利均創新高,2017年有機會挑戰賺進3個股本。全力衝刺SSD出貨的群聯、威剛、創見等受惠最大。

集邦指出,2016年第四季主流容量用戶級OEM SSD合約均價近一年來首度大漲,採用MLC規格NAND Flash的SSD價格季漲幅達6~10%,採用TLC規格NAND Flash的SSD部分則上漲6~9%。普遍來看,256GB SSD合約價約來到63~66美元左右。

展望2017年第一季,雖然終端產品實際銷售狀況仍保守,但由於非三星陣營的原廠仍處於3D NAND轉換陣按摩棒痛期,及龍頭廠商持續以提升獲利為主要策略下,預估明年第一季用戶級OEM SSD主流容量合約價仍將持續走升。法人預估均價將達65~70美元。

從用戶級SSD產品介面發展來看,由於大多數OEM大廠從2016下半年起才積極轉進PCIe介面,且通路市場需求仍以SATA III為主,因此SATA III仍是用戶級SSD市場的主流介面規格,PCIe SSD市占率僅2成。然而,隨著PCIe SSD供應商增加,及SSD控制晶片廠推出更具性價比的解決方案後,DRAMeXchange預估2017年PCIe SSD的市場滲透率將有望挑戰30~40%。

3D NAND布局加快

2017年是3D NAND大成長的一年,所以全部的NAND供應商均加快布局。以龍頭大廠三星電子為例,在高容量的eMMC/UFS與eMCP市占率領先同業,企業級固態硬碟(SSD)產品更藉出色性價比出貨強勁,3D NAND良率穩定拉升。2017年NAND Flash仍然缺貨,三星營運表現可望更為出色。

SK海力士3D NAND產能在2016年底前將達每月2~3萬片,第三代3D NAND於2017年第一季放量出貨,第四代的3D NAND有機會在2017年下半開始少量生產。

日本東芝產能規畫部分,現有第二半導體廠已全力生產3D NAND,2016年第四季產能達每月4萬片,待2017年64層堆疊的3D NAND順利量產後,產能提升速度將更快,而其第六半導體廠房新建計畫,將從2017年二月開始動工。

威騰電子(WD)收購SanDisk後,64層堆疊的3D NAND正處OEM客戶測試階段,預計2016年12月起率先使用在卡片及隨身碟等產品上。

現階段15奈米 2D NAND仍為威騰電子主流製程,良率及成本效益都已達最佳化,因此對利潤提升有很大幫助,2017年威騰電子的NAND Fl情趣激情聖品ash位元產出成長率預期將達45%。

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